Денис решанов: Персональный сайт Дениса Решанова

Содержание

«Миллион можно сделать абсолютно в любой сфере». Денис Решанов («Персональное решение») – о бизнесе в 19, наставниках и франшизе

– Где найти людей с опытом в бизнесе, которые подскажут решение, когда ты застрял в развитии или закопался в своих проблемах?

– Есть такая точка зрения, что человек — среднее арифметическое своего окружения. Почему-то мы мало внимания этому факту уделяем и не всегда осознанно выбираем круг общения. Если ты хочешь преуспеть в музыке – иди к признанным музыкантам, хочешь стать мастером спорта по боксу — тренируйся с боксерами, которые уже получили звание. Молодому предпринимателю надо попасть в среду людей, которые запустили успешный бизнес.

Разные конференции носят скорее мотивационный характер, а практический эффект достигается в глубоком общении, которое возможно в закрытых предпринимательских клубах или в работе с наставником. У участников клуба должны быть близкие по обороту компании, похожий опыт, но разные индустрии, чтобы не конкурировать. Один человек выносит проблему на обсуждение, и все участники ищут решение, предлагают свои варианты с опорой на личный опыт. В итоге должен получиться конкретный план действий, а не общие советы.

– Как выбрать наставника и заинтересовать его?

– Наставник — человек, который уже прошел тот путь, который планируешь пройти ты. Он убережет от большого количество ошибок, и это положительная сторона, но есть еще один момент: от наставника может появиться зависимость. Ты будешь бегать к нему по любому вопросу и потеряешь навык принятия решений. Нужно подходить к работе с наставником осмысленно: искать не того, кто будет тобой руководить, а того, кто сможет дать ответы на конкретные вопросы.

– Как у тебя появился первый наставник?

– Преподаватель бизнес-школы, где я на тот момент учился, пригласил меня на встречу с Сергеем Выходцевым, создателем брендов Invite, Velle, «Быстров». Обычно, чтобы попасть в поле зрения потенциального наставника, нужно хорошенько постараться: такие люди ценят свое время. Нападать на наставника в лоб — слабая стратегия. Даже если ты его где-то подловишь, у тебя будет только 30 секунд на презентацию — шансы низкие. Нужно найти того, кто вас познакомит: так Борис Ткаченко порекомендовал меня Павлу Савченко, сооснователю бизнес-объединения «Кубит», который потом на протяжении шести лет был моим наставником.

– А что нужно наставнику о себе рассказать?

– Все упирается в цели. Они должны быть четко сформулированы. У тебя должен быть главный вопрос его порядка. Если я приду к своему нынешнему наставнику с вопросом «Как мне настроить CRM-систему» или «Как нанять сотрудника?» — ему будет неинтересно, а значит встреча закончится быстро, и я потеряю шанс узнать что-то важное.

Допустим, ты стоишь на развилке: один путь тебе понятен, результат предсказуемый, а другой путь — неизведанный, зато он предположительно может привести в изумрудный замок. По какой дороге идти? Окружение предпринимателей из клуба не сможет помочь сделать выбор, потому что они в такой же точке находятся. Это уже вопрос для наставника. Он там ходил и сможет рассказать, какие монстры на этом пути живут и как их обойти. Еще один важный момент: при выборе наставника, смотри, пожалуйста, на его ценности. Они у вас должны совпадать.

Денис Решанов — Блог на vc.ru — комментарии

Денис Решанов — Блог на vc.ru — комментарии

[
{
«id»: 1,
«label»: «100%×150_Branding_desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox_method»: «createAdaptive»,
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «ezfl»
}
}
},
{
«id»: 2,
«label»: «1200х400»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«phone»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «ezfn»
}
}
},
{
«id»: 3,
«label»: «240х200 _ТГБ_desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «fizc»
}
}
},
{
«id»: 4,
«label»: «Article Branding»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «cfovx»,
«p2»: «glug»
}
}
},
{
«id»: 5,
«label»: «300x500_desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «ezfk»
}
}
},
{
«id»: 6,
«label»: «1180х250_Interpool_баннер над комментариями_Desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «h»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «ffyh»
}
}
},
{
«id»: 7,
«label»: «Article Footer 100%_desktop_mobile»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«tablet»,
«phone»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «bwkpg»,
«p2»: «fjxb»
}
}
},
{
«id»: 8,
«label»: «Fullscreen Desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»,
«tablet»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «fjoh»
}
}
},
{
«id»: 9,
«label»: «Fullscreen Mobile»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«phone»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «fjog»
}
}
},
{
«id»: 10,
«disable»: true,
«label»: «Native Partner Desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»,
«tablet»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «clmf»,
«p2»: «fmyb»
}
}
},
{
«id»: 11,
«disable»: true,
«label»: «Native Partner Mobile»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«phone»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «clmf»,
«p2»: «fmyc»
}
}
},
{
«id»: 12,
«label»: «Кнопка в шапке»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «bscsh»,
«p2»: «fdhx»
}
}
},
{
«id»: 13,
«label»: «DM InPage Video PartnerCode»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»,
«tablet»,
«phone»
],
«adfox_method»: «createAdaptive»,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «h»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «flvn»
}
}
},
{
«id»: 14,
«label»: «Yandex context video banner»,
«provider»: «yandex»,
«yandex»: {
«block_id»: «VI-223676-0»,
«render_to»: «inpage_VI-223676-0-1104503429»,
«adfox_url»: «//ads. adfox.ru/228129/getCode?pp=h&ps=bugf&p2=fpjw&puid1=&puid2=&puid3=&puid4=&puid8=&puid9=&puid10=&puid21=&puid22=&puid31=&puid32=&puid33=&fmt=1&dl={REFERER}&pr=»
}
},
{
«id»: 15,
«label»: «Баннер в ленте на главной»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»,
«tablet»,
«phone»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «byudx»,
«p2»: «ftjf»
}
}
},
{
«id»: 16,
«label»: «Кнопка в шапке мобайл»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«tablet»,
«phone»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «byzqf»,
«p2»: «ftwx»
}
}
},
{
«id»: 17,
«label»: «Stratum Desktop»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «fzvb»
}
}
},
{
«id»: 18,
«label»: «Stratum Mobile»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«tablet»,
«phone»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «fzvc»
}
}
},
{
«id»: 19,
«label»: «Тизер на главной 2»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»,
«tablet»,
«phone»
],
«auto_reload»: true,
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «cbltd»,
«p2»: «gazs»
}
}
},
{
«id»: 20,
«label»: «Кнопка в сайдбаре»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «cgxmr»,
«p2»: «gnwc»
}
}
},
{
«id»: 21,
«label»: «Ультратизер»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«pp»: «g»,
«ps»: «bugf»,
«p2»: «gtjk»
}
}
},
{
«id»: 22,
«label»: «300×500 правый сайдбар 1×1»,
«provider»: «adfox»,
«adaptive»: [
«desktop»
],
«adfox»: {
«ownerId»: 228129,
«params»: {
«p1»: «cotcx»,
«p2»: «heif»
}
}
}
]

{«token»:»eyJhbGciOiJIUzI1NiIsInR5cCI6IkpXVCJ9. eyJwcm9qZWN0SWQiOiI1ZTRmZjUxODYyOGE2YzcxNDUxNWY0ZGEiLCJpYXQiOjE1ODI1MzY0NDB9.AwBBnUWMy3RR1xtAoaXVr81WvqxdlD4C8CBpwFiONzw»,»release»:»f84a509b»}
null

Денис Решанов — Парижский марафон 2016

Долгожданное событие. Я шёл к нему 5 месяцев. И вот настал этот день и я финишировал.

Долгожданное событие. Я шёл к нему 5 месяцев. И вот настал этот день и я финишировал.

Время 3:32.48

План был 3.25.00-3.45.00. Желаемое время 3.29.00. Немного не дотянул.

Раскладка по км и ощущения:

5 км — легко. Только разогрелся. Темп 4.55 мин/км. Никакой суеты, строго в плане!

10 км — легко. Втянулся. 4.54 мин/км. Начинает ныть спина. 

15 км — хорошо иду. 4.55 мин/км (хотя желание было 4.50). Обогнал пейсмейкера на 3.30. Бежал метрах в 150 впереди. Спина болит ещё сильнее, прям не даёт покоя.

21.1 км — 1.43.00 — выиграл себе будущему 2 минуты. По ощущениям хорошо. Ускоряться не получается, но темп держать в силах. Спина прошла, видимо прогрелись мышцы и расслабили нерв.

25 км — хорошо. 4.56 мин/км темп. До 4.50 никак не поднять. Решил просто бежать из 5 мин/км. Трасса ровная, нет крутых подъемов. По ощущениям, как-будто бежим вниз (на самом деле это не так, финиш выше старта метров на 30).

30 км — устаю. Долгожданная 30-ка. В плане было добраться до неё в темпе 4.50-4.55. Не вышло, хотя все равно иду с легким опережением 2.28.09. Слишком легким (2 мин вместо плановых 6-ти). Начинает болеть живот (не бока, а именно желудок). Неприятное ощущение, но бежать можно. Жарко, около +17 и яркое солнце.

32 км — начинаю считать километры. Осталась всего десятка. В голове: «надо держаться». Пульс ровный, в диапазоне 157-160. Иногда на подъемах поднимается до 162. Но на ровных участках не растёт — это хороший показатель. Хотя я то знаю, что проблемы придут с другой стороны. Скорее всего ноги просто перестанут тянуть и все. Только когда это настанет? 

35 км — постепенно покидают силы. Чувствую это всем телом, начался постепенный слив, иду по кромке плана. Меня обогнал пейсмейкер на 3.30. Темп на последней 5-ке (30-35 км) — 5.05 мин/км. Если удержу его — пробегу за 3.30.00! В голове мысли: «осталось всего 7 км!».

36 — 38 км продолжаю понемногу сливать, в среднем по 30 сек/км. Понял, что не попадаю в 3.30. Решил, что надо добежать с максимально хорошим для себя результатом. Думал, что проиграю около 1-2 мин.

39 — 40 км — догнал второй пейсер на 3.30.00 (всего их было два). Собрался с силами и подержался за ним 2 км. В среднем по 5.10мин/км. Говорил себе, что надо попытаться ускориться, с трудом подсчитывал в голове целевой темп, но не смог и забросил эту затею. Упорно не получалось бежать из 5-ти минут. Ноги перестали тянуть.

40 км — отметка счастья. Тут понимаешь, что осталось совсем чуть-чуть. Главное дотерпеть. И я терпел.

41 км — 5.33 мин/км. Просто добегание, ничего героического. 

42 км — 5.44 мин/км. Ноги закислились. Не смог сделать финишный рывок. 

42.2 км — пересёк финишный створ. Счастья полные штаны! Ноги не идут. Пришлось полежать на земле. Понемногу оклемался, понадобилось мин 20, и начал осматриваться. Финишная зона похожа на лежбище морских котиков. Тут и там лежат тела. Визуально полумертвые, но невероятно счастливые! Ради того, чтобы поваляться на земле с медалькой на шее, они тренировались 4-5 мес по 5-6 раз в неделю! 

В итоге, лишние три минуты набрал на последних 7 км. Что, в принципе, логично. Марафон начинается после 30-го км. Для меня он начался где-то на 32-33, после 35 я начал его чувствовать всем телом.

Не могу сказать, что меня «вштырило»! «Гликогенового дна» я так и не достиг, и слава Богу! Скорее всего по причине правильного питания на дистанции (6 гелей + вода) и качественной подводки к соревнованиям. 

Марафон — это испытание тела и духа. Во время дистанции идёт постоянный диалог с сами собой. Сегодня у моих внутренних «я» конфликта не было! Они похоже договорились и приняли, что «нам»нужен этот марафон. Пессимистическое «я» лишь слегка ворчало, что «неплохо было бы сбавить темп».

Результатом доволен! Тренер, спасибо! 

Желаю и вам достигать своих целей. Поверьте, победа, достигнутая тяжёлым трудом, невероятно радует!


 Бабчин Олег (тренер Дениса):


 «Предполагаемый результат считал 3:25 — 3:35, в зависимости от погоды, самочувствия и акклиматизации. В целом проведённую подготовку оцениваю успешной, хоть и были объективные причины, серьёзно усложняющие тренировочный процесс — это неблагоприятные погодные условия в Петербурге для зимних тренировок и неприятный рецидив застарелой травмы буквально за месяц до старта. Порадовало то, что Денис очень серьёзно и ответственно относится к соревнованиям и тренировочному процессу. Мельчайшие детали и советы по предстартовой подготовке были выполнены до последнего штриха. Оценивая расклад по дистанции можно с уверенностью сказать, что Денис чётко контролирует своё состояние и эмоции. Сохранять целевой темп удалось вплоть до 35 км, что является серьезным достижением, на предыдущем марафоне упор в «стену» был достигнут значительно раньше. После 35 км пошел неминуемый слив, что было прогнозируемо, на сегодняшний день объёма для преодоления марафона немного не хватает, но выполнять бОльшую нагрузку пока рано. Желаю Денису скорейшего восстановления и успешной работы к будущим стартам и новым рекордам!

Денис Решанов, Санкт-Петербург, Россия

Личная информация

Деятельность

скрыта или не указана

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Интересы

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимая музыка

скрыта или не указана

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимые фильмы

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимые телешоу

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимые книги

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимые игры

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Любимые цитаты

скрыты или не указаны

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


О себе

скрыто или не указано

Можно редактировать:
да

Обязательно к заполнению:
нет

Можно скрыть настройками приватности:
да


Википедия — свободная энциклопедия

Избранная статья

Прохождение Венеры по диску Солнца — разновидность астрономического прохождения (транзита), — имеет место тогда, когда планета Венера находится точно между Солнцем и Землёй, закрывая собой крошечную часть солнечного диска. При этом планета выглядит с Земли как маленькое чёрное пятнышко, перемещающееся по Солнцу. Прохождения схожи с солнечными затмениями, когда наша звезда закрывается Луной, но хотя диаметр Венеры почти в 4 раза больше, чем у Луны, во время прохождения она выглядит примерно в 30 раз меньше Солнца, так как находится значительно дальше от Земли, чем Луна. Такой видимый размер Венеры делает её доступной для наблюдений даже невооружённым глазом (только с фильтрами от яркого солнечного света), в виде точки, на пределе разрешающей способности глаза. До наступления эпохи покорения космоса наблюдения этого явления позволили астрономам вычислить расстояние от Земли до Солнца методом параллакса, кроме того, при наблюдении прохождения 1761 года М. В. Ломоносов открыл атмосферу Венеры.

Продолжительность прохождения обычно составляет несколько часов (в 2004 году оно длилось 6 часов). В то же время, это одно из самых редких предсказуемых астрономических явлений. Каждые 243 года повторяются 4 прохождения: два в декабре (с разницей в 8 лет), затем промежуток в 121,5 года, ещё два в июне (опять с разницей 8 лет) и промежуток в 105,5 года. Последние декабрьские прохождения произошли 9 декабря 1874 года и 6 декабря 1882 года, а июньские — 8 июня 2004 года и 6 июня 2012 года. Последующие прохождения произойдут в 2117 и 2125 годах, опять в декабре. Во время прохождения наблюдается «явление Ломоносова», а также «эффект чёрной капли».

Хорошая статья

Резня в Благае (сербохорв. Масакр у Благају / Masakr u Blagaju) — массовое убийство от 400 до 530 сербов хорватскими усташами, произошедшее 9 мая 1941 года, во время Второй мировой войны. Эта резня стала вторым по счету массовым убийством после создания Независимого государства Хорватия и была частью геноцида сербов.

Жертвами были сербы из села Велюн и его окрестностей, обвинённые в причастности к убийству местного мельника-хорвата Йосо Мравунаца и его семьи. Усташи утверждали, что убийство было совершено на почве национальной ненависти и свидетельствовало о начале сербского восстания. Задержанных сербов (их число, по разным оценкам, составило от 400 до 530 человек) содержали в одной из школ Благая, где многие из них подверглись пыткам и избиениям. Усташи планировали провести «народный суд», но оставшаяся в живых дочь Мравунаца не смогла опознать убийц среди задержанных сербов, а прокуратура отказалась возбуждать дело против кого-либо без доказательства вины. Один из высокопоставленных усташей Векослав Лубурич, недовольный таким развитием событий, организовал новый «специальный суд». День спустя дочь Мравунаца указала на одного из задержанных сербов. После этого 36 человек были расстреляны. Затем усташи казнили остальных задержанных.

Изображение дня

Эхинопсисы, растущие на холме посреди солончака Уюни

Пока Вы думаете, наши партнеры зарабатывают


Каталог франшиз www.franshiza-info.ru попросил основателя сети Дениса Решанова, рассказать о том, как кризисная ситуация в стране повлияла на его бизнес, о планах компании на ближайшее время, антикризисных мерах и о преимуществах покупки франшизы «Персональное решение» в нестабильное для бизнеса время.


Franshiza-info. ru: «Денис, сколько рулонов туалетной бумаги и килограммов гречки Вы уже закупили?».


Денис: «Ажиотаж на гречку и туалетную бумагу — это увеличение поставок, а значит увеличения штата работников. В то время, когда люди покупают — мы работаем».



Franshiza-info.ru: «Ваши первые мысли, когда Вы поняли, что настал очередной кризис?».


Денис: «Кризис на рынке — это возможности для компаний по аутсорсингу линейного персонала.


Аутсорсинг — это априори мера по сокращению издержек и оптимизации ФОТ в компаниях.



Наша задача — пройти этот кризис вместе с нашими партнерами не только без экономических потерь, но и со стремительным ростом».



Franshiza-info.ru: «Денис, как отразилась текущая кризисная ситуация в стране и мире на Вашем бизнесе?».


Денис: «Нарастает уровень стресса, в связи с курсом рубля, с вирусом. Однако есть спрос на товары первой необходимости (консервы, крупы и т.д.). За счет этого увеличивается спрос на аутсорсинг персонала по всей цепочке товарооборота.


  1. Он начинается с сельскохозяйственных предприятий (множество птицефабрик и производителей зерна — мы предоставляем для них весь спектр подсобного персонала от грузчиков до трактористов).



  2. Дальше — производства, где продукция приобретает готовый вид (здесь мы предоставляем работников на конвейер, фасовку и упаковку).



  3. Затем идут склады и распределительные центры (специализации персонала здесь следующие: грузчики, комплектовщики, водители погрузчиков).



  4. После — товар перемещается непосредственно по магазинам (как я уже говорил, им мы предоставляем и кассиров, и работников торгового зала, и грузчиков)



  5. В финальной точке товар может доставляться Вам домой (мы предоставляем также и курьеров).



  6. Ну и, конечно же, на всей этой цепочке товары перемещаются из одного места в другое с помощью логистических компаний (таких как Деловые Линии, ПЭК и другие, в которые мы также предоставляем персонал на погрузку/разгрузку)».



    Franshiza-info.ru: «Какие меры Вы принимаете для смягчения последствий и усиления позиций бренда и центральной компании?».


    Денис: «Мы выросли во время кризиса в 2008 и 2014 году. Сейчас — мы продолжаем расти.


    Для партнеров нашей сети мы подготовили антикризисный план ведения бизнеса, и уже на следующей неделе проведем марафон вебинаров. Еженедельно мы будем рассматривать все самые необходимые в наших реалиях темы, внедрять инструменты в работу и делать наших партнеров сильнейшими на рынке аутсорсинга персонала.




    Уже сейчас нам поступает большое количество заявок от клиентов. Мы обрабатываем их и предоставляем необходимое количество персонала в кратчайшие сроки.


    Ежедневный вывод на работу персонала партнеров франшизы «Персональное решение» увеличился уже на 50% и продолжает расти».



    Franshiza-info.ru: «Мониторит ли Ваша компания новости в связи с Коронавирусом, и как налажен обмен информацией сейчас с партнёрами по франшизе услуг аренды грузчиков и разнорабочего персонала «Персональное решение»?».


    Денис: «Да, конечно. Мы обрабатываем каждую новость и анализируем, как это поможет нам, где нам усилить продажи и на какие сферы лучше сделать упор. Мы практически 24/7 поддерживаем общение с нашими партнерами.




    Проводим вебинары, транслируем новые инструменты для внедрения в работу. Активно поддерживаются чаты, где партнеры передают друг другу заказы, регулярная рассылка новостей аутсорсинга.



    Мы разработали антикризисный план, и наши партнеры уже начали работу по нему со своим личным менеджером».



    Franshiza-info.ru: «Ваш бизнес и Ваша франшиза услуг аренды грузчиков и разнорабочего персонала «Персональное решение» зависят от курса валют? Если да, какие меры приняты, чтобы колебания курса не были вам опасны?».


    Денис: «Успех нашего бизнеса не зависит от курса валют. Более того,


    курс валют вынуждает компании оптимизировать свой бизнес и за помощью они обращаются,



    опять же, к нам».




    Franshiza-info.ru: «Денис, назовите три основные причины, почему бизнес становится уязвимым во время кризиса?».


    Денис: «Мы давно поняли, что страдают только те бизнес-модели, которые:


    • не способны быть гибкими в постоянно изменяющихся условиях рынка;



    • зависят от ситуации на рынке, настроения и платежеспособности потребителей;



    • привязаны к месту и законодательству, которые могут остановить работу бизнеса на неопределенный срок, либо полностью».



    Franshiza-info.ru: «Можно ли найти способ избежать их при возникновении подобных ситуаций в дальнейшем?».


    Денис: «Аутсорсинг персонала полностью устраняет риск быть подверженным кризису.


    Грузчики, разнорабочие и другой неквалифицированный персонал будет нужен всегда.



    Даже если нашим клиентам потребуются квалифицированный персонал в каком-либо сегменте (например, кассиры на ритейл или каменщики на стройку), мы обучим и предоставим».




    Franshiza-info.ru: «Денис, что бы Вы хотели сказать людям, которые могли бы сейчас купить франшизу услуг аренды грузчиков и разнорабочего персонала «Персональное решение», но боятся из-за Коронавируса и очередного обвала рубля?».


    Денис: «В то время, когда другие компании ломаются под давлением кризиса, наступает время аутсорсинга. Потенциальные клиенты начинают понимать важность оптимизации своего производства и ищут способы решения этих проблем.



    Когда происходит очередной кризис, рынок все больше переходит на аутсорсинг. И


    наши потенциальные клиенты становятся постоянными.



    Время — это самое ценное в бизнесе. Тут важно не упустить возможность стать частью сильнейших областей.



    Вы можете и дальше думать стоит оно того или нет, но только помните — наши партнеры в это время зарабатывают».


    Подробнее о том, как купить франшизу услуг аренды грузчиков и разнорабочего персонала «Персональное решение» можно узнать здесь или у сотрудника компании, отправив запрос через форму для связи ниже.


    Читайте также:

    Эффект пандемии: почему торговые сети ищут сотрудников не там, где нужно

    Пандемия привела к неожиданной проблеме. Из-за закрытых границ не хватает курьеров, таксистов — о такой проблеме заявили около 40% компаний, сотрудничающих с мигрантами. Схожая проблема есть у ритейлеров, которым нужны сотрудники, например, на разгрузку товаров или другие обязанности, не требующие высокой квалификации. А нанимать местных работников не всегда оказывается экономически выгодно, поскольку в найме мигрантов есть несомненный плюс в виде низких зарплаты. Впрочем, компания Gigant утверждает, что с помощью ее сервиса по найму part-time персонала на короткие смены можно решить эти проблемы — как недостаток сотрудников, так и переплату более дорогим сотрудникам.

    «Поток покупателей в магазинах в течение дня неравномерен, есть пиковые часы. Вечером обычно бывает больше людей, чем с утра. Как не допустить очередей? Нанять больше сотрудников. Экономить в таком случае стараются, нанимая низкооплачиваемых мигрантов. Но с такой рабочей силой сейчас проблемы. Есть другой путь — нанять людей на несколько часов в день. И таких желающих работать part time на рынке труда достаточно. При этом для магазинов это выгоднее, чем нанимать низкооплачиваемого работника на полную смену», — объясняет основатель GigAnt Денис Решанов. По его словам, в Москве и других городах есть большое количество людей, которые не могут работать полный день, но они готовы выходить на подработки по утрам или вечерам в дополнение к своей основной работе. Как раз таких сотрудников GigAnt научился привлекать к работе, и их количества достаточно, чтобы закрыть потребности ритейлеров. Как работает этот сервис и почему это выгодно для клиентов?

    Работник по-соседству

    Небольшой офис оборудован под магазин: стоят кассы с кассирами, к ним подходят покупатели, кто-то из них вежливо общается, другие возмущаются. Это обучающий центр GigAnt, где компания тренирует своих сотрудников перед тем, как отправить их в настоящие магазины. И покупатели, и кассиры — все это обучающиеся. Тренинг обычно длится несколько часов, за которые им нужно освоить все нюансы. «Мы стараемся обучать по стандартам наших клиентов, чтобы люди на part time работали также, как штатные сотрудники», — рассказывает Решанов.

    Идея сервиса родилась у
    Решанова в конце 2018 года. Сейчас компания работает в трех городах — Москве,
    Санкт-Петербурге и Новосибирске, а среди ее клиентов «Вкусвилл», «Азбука
    Вкуса», Spar,
    «Пятерочка» и другие. По данным на октябрь 2020 года, у GigAnt более 500 торговых точек на обслуживании и более
    3000 исполнителей. Сейчас сервис сотрудничает преимущественно с ритейлом, но
    его услугами могут пользоваться компании из сегмента HoReCa или любые другие бизнесы, где нужны почасовые
    работники.

    Как работает сервис?
    Клиент отправляет временные слоты, когда ему нужны дополнительные люди, а GigAnt по своей базе
    подыскивает подходящих кандидатов. При этом клиент заключает договор с
    сервисом, а не работниками. А уже сервис расплачивается с привлеченными людьми
    и при этом отвечает за качество их работы. «На Западе похожие сервисы работают
    по модели маркетплейса — компания-клиент дает объявление, работники откликаются
    на него. Мы пошли по модели “все включено”, когда мы сами отвечаем и за
    обучение сотрудников и качество их работы, и гарантируем их выход в торговую
    точку», — объясняет Решанов.

    Предприниматель вспоминает, что в самом начале были проблемы с выходом людей — сервис был еще молодой. Сейчас гарантия выхода близка к 100%. Дело в том, что база данных GigAnt содержит информацию о том, где живут их парт-таймеры и в какие временные слоты они готовы выйти на работу. Это позволяет очень быстро подыскивать замену, если работник по какой-то причине не может выйти — своеобразный последний рубеж защиты от невыходов.

    Изначально работникам подбирают рабочие смены в точках поблизости от их дома. «Если человек живет близко, то гарантий выхода на работу больше, нежели человеку придется добираться час. И так мы еще экономим время наших парт-таймеров, чтобы они не тратили его на дорогу», — рассказывает Решанов. После подбора слота работнику звонит робот и уточняет, выйдет тот на работу или нет. Второй звонок робот делает за несколько часов до смены. При этом сотрудник должен подтвердить выход через приложение или колл-центр. «Сейчас мы еще внедряем рейтинг сотрудников, чтобы у них был стимул качественно работать, а у нас была возможность отсеивать неподходящих. Это как рейтинг в «Яндекс.Такси» — таксисты борются за высокий рейтинг, чтобы получать больше заказов», — говорит предприниматель.

    Где выгода?

    У компаний — например, ритейлеров — есть несколько стратегий, как поступать во время наплыва покупателей в пиковые часы. Можно нанять дополнительного сотрудника — он поможет справиться с нагрузкой, но в остальное время такая рабочая сила будет излишней — это дополнительные затраты на фонд оплаты труда. Другой путь — обойтись малыми силами, но тогда есть шанс очередей на кассах. А это грозит упущенной выручкой и недовольством клиентом. Еще один выход — нанимать сотрудников на полсмены, но он не всегда работает.

    Как объясняет Решанов, крупным сетям довольно сложно найти большое количество людей, готовых работать на полставки — большинство ищут работу на полный день. Есть аутсорс-компании, где можно нанять дополнительный персонал. Но там тоже люди стремятся отработать полный день, чтобы получать полную зарплату. «Для наших парт-таймеров работа через GigAnt — это подработка. У них уже есть основная работа и свободное время, которое они готовы потратить на то, чтобы получить дополнительный заработок. Кто-то готов отработать 5-часовую смену три раза в неделю, кто-то только один. Мы научились с помощью алгоритмов обеспечивать гарантированный поток таких парт-таймеров», — говорит Решанов.

    Когда сеть магазинов «Вкусвилл» стала пользоваться услугами GigAnt, то для нее час работы временного сотрудника примерно был равен часу работы штатного. Но за счет внедрения 5-часовых смен начала экономить на фонде оплаты труда 10-16% — в масштабах «Вкусвилла» это существенная сумма. «В ритейле существует четыре “убийцы” покупательского опыта — очереди на кассе, пустые полки, просрочка и неправильные ценники.

    Part time сотрудников можно нанимать, например, только под эти задачи. Человек придет, поможет расставить товары и уйдет, а не будет полдня потом сидеть без дела», — объясняет Решанов. А в случае с дополнительным кассиром получится не только избежать негатива от клиентов, но и получить дополнительную выручку. Устранение «убийц клиентского опыта» приводит к росту NPS (индекс лояльности клиента) в торговой точке. А это, в свою очередь, влияет на рост выручки в перспективе за счет повышения лояльности и роста повторных визитов. Также, по измерениям Gigant, сфокусированный на одной задаче парт-таймер — например, на замене ценников — выполняет ее на 30-40% быстрее, чем штатник, занятый сразу рядом задач.

    Основатель GigAnt утверждает, что его сервис предоставляет решение «под ключ» — от анализа пиковых часов (и адаптацией расписания под меняющиеся условия) до гарантии выхода человека. А что если временный сотрудник будет работать хуже штатного? Решанов говорит, что это маловероятно. Компания как раз для этого и создала свой учебный центр. В нем парт-таймеры не только отрабатывают внештатные ситуации, но еще разучивают речевые скрипты и правила общения конкретного клиента и даже изучают его корпоративную культуру. Сам GigAnt называет себя «Uber для линейного персонала». Как объясняет Решанов, part time персонал применим для покрытия регулярных, но непродолжительных задач. Также с помощью такого персонала можно покрывать пиковые ситуации. За счет точечного применения рабочей силы, конвейерного принципа, когда каждый делает только 1 задачу, и устранения неэффективных часов, достигается экономической эффект в виде снижения ФОТ до 23% и росте выручки до 6%.

    Если у вас возникли вопросы, с радостью отвечу на них.
    Коммерческий директор сервиса GigAnt, Евгений Коночкин
    +7(495) 186-07-84
    [email protected]

    *материал опубликован на правах рекламы.

    Подписывайтесь на наш канал в Telegram, чтобы первыми быть в курсе главных новостей ритейла.

    Нобелевская премия по графену: Nature Materials

    Андре Гейм и Костя Новоселов были удостоены Нобелевской премии по физике 2010 года «за новаторские эксперименты с двумерным материалом графена». Чтобы отпраздновать это событие, в этом веб-фокусе мы собрали некоторые из самых известных статей об этом слое графита толщиной в один атом, которые Nature Materials опубликовала за последние четыре года.

    Верх страницы

    Научные статьи

    Атомные слои гибридизированных доменов нитрида бора и графена БЕСПЛАТНО

    Лицзе Чи, Ли Сон, Чуаньхун Цзинь, Дип Джаривала, Дангсинь Ву, Юнцзе Ли, Анчал Шривастава, З.Ф. Ван, Кевин Сторр, Луис Баликас, Фэн Лю и Пуликель М. Аджаян

    Nature Materials Vol. 9, 430 — 435 (2010)

    doi : 10.1038 / nmat2711

    Полный текст — Модель ферромагнитного полупроводника | PDF (1,236 KB ) — Модельный ферромагнитный полупроводник

    Открытие запрещенной зоны в графене, вызванное структурированной адсорбцией водорода БЕСПЛАТНО

    Ричард Балог, Бьярке Йоргенсен, Луи Нильссон, Ми Андерсен, Эмиль Риенкс, Марко Бьянки, Маттиа Фанетти, Эрик Лонгсгаард, Алессандро Баральди, Сильвано Лиззит, Зелько Сливанчанин, Флемминг Бесенбахер, Бьорк Г. Педерсен, Филип Хофманн и Лив Хорнеку

    Nature Materials Vol. 9, 315 — 319 (2010)

    doi : 10.1038 / nmat2710

    Полный текст — Модель ферромагнитного полупроводника | PDF (1,338 KB ) — Модельный ферромагнитный полупроводник

    Нанесение графеновых слоев размером с пластину путем графитизации карбида кремния при атмосферном давлении. FREE

    Константин В.Емцев, Аарон Боствик, Карстен Хорн, Йоханнес Йобст, Гэри Л. Келлог, Лотар Лей, Джессика Л. МакЧесни, Тайсуке Охта, Сергей А. Решанов, Йонас Рёрл, Эли Ротенберг, Андреас К. Шмид, Даниэль Вальдманн, Хайко Б. Вебер И Томас Зейллер

    Nature Materials Vol. 8, 203 — 207 (2009)

    doi : 10.1038 / nmat2382

    Полный текст — Модель ферромагнитного полупроводника | PDF (3,493 KB ) — Модельный ферромагнитный полупроводник


    Анализ и модификация дефектных агрегатов поверхности на PCDTBT: смеси солнечных элементов PCBM с использованием комбинированного зонда Кельвина, проводящей и бимодальной атомно-силовой микроскопии

    Внешний вид поверхностных агрегатов на смеси

    Чтобы исследовать влияние литейного растворителя на морфологию PSC, мы приготовили тестовые образцы, используя либо дихлорбензол (DCB), либо хлорбензол (CB) в качестве растворителя. Как описано в разделе «Эксперименты», PCDTBT (донорный полимер) не полностью растворяется в CB, тогда как он почти полностью растворяется в DCB. Как следствие, смесь CB содержит осажденные и растворенные компоненты PCDTBT. Поскольку образцы CB производятся только с растворенной частью, ожидается, что они будут содержать высокий процент короткоцепочечного PCDTBT, который имеет относительно небольшую молекулярную массу [19]. С другой стороны, образцы, обработанные с помощью DCB, имеют все компоненты PCDTBT.Помимо соотношения короткоцепочечных и длинноцепочечных полимеров, различия в растворимости донорных и акцепторных материалов, а также температура кипения растворителей влияют на морфологию и, таким образом, на характеристики PSC [20]. Смесь PCDTBT: PCBM, изготовленная с использованием растворителя DCB, показала лучшие характеристики, чем смесь, отлитая из CB [21].

    Мы провели измерения KPFM на образцах, отлитых как DCB, так и CB, чтобы изучить возможные изменения поверхностного потенциала из-за различий в морфологии активных слоев PSC. Как показано на Рисунке 1, наблюдается четкая разница в поверхностном потенциале, хотя очевидной корреляции с каналом топографии нет. Популяция аномальных особенностей при измерении потенциала намного больше для образца CB, который имеет в 20 раз больше характерных (темных) областей в потенциале, чем случай DCB для измеренных участков, при этом темные области рассчитываются как 15% и 0,76%. от всей области сканирования (50 × 50 мкм 2 ) для CB и DCB соответственно. Аналогичная тенденция наблюдается для различных других сайтов сканирования и образцов.Стоит отметить, что размер сканирования должен быть достаточно большим для образцов DCB, чтобы найти интересующие структуры, в то время как найти структуры в образцах CB не составляет труда при размере сканирования 20 × 20 мкм 2 . Чтобы изучить аномальные особенности, мы использовали образцы литья CB в остальной части нашего исследования.

    Рисунок 1:

    KPFM измерения поверхностного потенциала образцов, отлитых из DCB и CB. (а) Топография образца, изготовленного с DCB. (б) Соответствующая фаза в АСМ с амплитудной модуляцией. (c) Вероятность появления темных деталей оценивается в 0,76% от всей области сканирования. (d) Топография образца, изготовленного с CB. (e) Соответствующая фаза, показывающая особенности в виде ярких пятен. (f) Возможное отображение деталей, оцениваемое в 15% от всей области сканирования. Масштабная линейка составляет 10 мкм.

    Рисунок 1:
    KPFM измерения поверхностного потенциала образцов, отлитых из DCB и CB.(а) Топография образца f …

    На Рисунке 2 показаны увеличенные изображения одной из деталей в образце отливки CB. Можно легко найти определенные области, которые демонстрируют контраст по сравнению с обычным окружением в фазе (рис. 1e и рис. 2b) и потенциале (рис. 1f и 2c). В области выбросов потенциал падает, и фаза демонстрирует соответствующие ступенчатые изменения.Соответствующая топография на рисунках 1d и 2a не показывает никаких наблюдаемых структур. Однако мы заметили, что топография показывает различное поведение для свежих и выдержанных образцов. Для свежих образцов, использованных для измерений на Рисунке 2, изображения обычно не показывают какой-либо корреляции между измеренной топографией и интересующими особенностями фазы и потенциала. Если параметры изображения установлены правильно, можно избежать артефактов перекрестных помех между электростатическими [22] и ван-дер-ваальсовыми силами и топографией.

    Рисунок 2:

    Измерение KPFM типичного элемента в образце CB-литья. (а) Топография, не показывающая корреляции с особенностями, наблюдаемыми в других сигналах. (b) Фаза, показывающая повышенные сигналы для интересующих функций.(c) Потенциал выявления соответствующих изменений, наблюдаемых в фазовом изображении. (d) Линейные профили топографии, фазы и потенциала вдоль пунктирных линий на изображениях. Масштабная линейка составляет 2 мкм.

    Рисунок 2:
    Измерение KPFM типичного элемента в образце CB-литья. (а) Топография не показывает корреляции …

    С другой стороны, старые образцы, хранившиеся в течение нескольких недель в условиях окружающей среды, демонстрируют топографические особенности, соответствующие структурам, обнаруженным при фазовых и потенциальных измерениях (см. Рисунок S3, Вспомогательный информационный файл 1).Это наблюдение предполагает, что после завершения процесса изготовления могут произойти дополнительные морфологические изменения. Эти изменения могут быть связаны с процессами разложения и / или медленным испарением оставшегося растворителя с течением времени. Мы также наблюдали эволюцию характеристик с течением времени, начиная сразу после изготовления свежего образца (см. Рисунок S4, вспомогательный информационный файл 1). Ранее сообщалось о росте островных структур [23]. Хотя существуют различия в отношении используемого донорного материала, применяемых методов и размера островков, авторы этого предыдущего исследования сообщили, что кристаллиты PCBM образуются и увеличиваются в размере в зависимости от времени обработки отжига в парах растворителя (медленный сушка пленки) [23].Поскольку разложение и / или испарение оставшегося растворителя из активных слоев без покрытия будет отличаться от таковых для образцов, захороненных под верхним электродом и инкапсулирующим слоем, мы в основном использовали свежие образцы для оценки свойств элементов, чтобы избежать дополнительной неопределенности. (любые отклонения от этого подхода отмечены в тексте).

    Чтобы дополнительно охарактеризовать особенности, мы анализируем изменения топографии на старом образце.Функции в этом примере демонстрируют интересное поведение. Они постепенно исчезают при последовательном сканировании KPFM (см. Рисунок S5, Вспомогательный информационный файл 1). Это явление происходит только для старых образцов, тогда как свежие образцы не меняются с течением времени. Кроме того, это происходит только во время измерений KPFM, когда на наконечник смещается постоянное и переменное напряжение, и не происходит во время базовой АСМ-визуализации, когда нет напряжения смещения. Поскольку KPFM работал в бесконтактном режиме, то есть когда на динамику наконечника влияли взаимодействия притяжения, мы ожидаем, что удаление элементов не происходит из-за прямого контакта между наконечником и элементами. Мы, скорее, предполагаем, что интересующие элементы изначально располагаются на верхней части активного слоя, затем удаляются из образца и, наконец, прикрепляются к наконечнику из-за привлекательного взаимодействия между наконечником и характерным материалом. Хотя источник сил притяжения не совсем понятен, его можно отнести либо к электростатическим силам из-за локализованных зарядов в деталях, либо к электрофорезу материала из-за градиента электрического поля.

    На рисунке 3 показан набор изображений первого и последнего сканирования для выдержанного образца.Хотя очень сложно различить изменения топографии, можно легко различить частичное удаление более яркой области из фазовых изображений. Кроме того, измененная область может быть четко видна после расчета разницы между двумя изображениями топографии (рис. 3c). На рис. 3g показаны линейные профили пунктирных линий на рис. 3a – c (синий, зеленый и красный для начального, последнего и разностного профилей изображений соответственно). Разница в высоте измененной области (область зазора между синей и зеленой кривыми) относительно мала по сравнению с общим профилем.Чтобы рассчитать изменение высоты удаленной области, была получена гистограмма разницы топографии, которая была аппроксимирована двойной кривой Гаусса (рис. 3h). Измеренная разница в высоте составила ок. 0,8 нм. Исходя из этого, мы приписываем особенности тонким молекулярным слоям, сформированным поверх объемной пленки. Хотя артефакт, основанный на электростатических взаимодействиях, также может влиять на измеренную высоту, мы можем исключить эту возможность, потому что электростатическая сила является дальнодействующей силой [24], которая приводит к размытым границам и более низкому разрешению, чем на фазовых изображениях, что ясно из потенциальные изображения.С другой стороны, фазовые изображения демонстрируют высокое разрешение и четкие границы функций, а также ступенчатый постоянно повышенный контраст. Это означает, что фазовые изменения в основном вызваны взаимодействиями, отличными от изменений электростатической силы. Представленная структура кажется кластером агрегированных частей слоя, что подтверждается поведением группового расслоения, показанным на рисунке S5 (вспомогательный информационный файл 1).

    Рисунок 3:

    Удаление поверхностных агрегатов в состаренном образце.(а) Топография исходного образца. (б) Топография после нескольких сканирований. (c) Разница между двумя топографиями, показывающая явные изменения. (d) Фаза исходного образца. (e) Фаза после нескольких сканирований. (f) Разница двух фазовых изображений, показывающая такое же изменение, как и топография. (g) Линейные профили начальной (синий) и окончательной (зеленый) топографии, а также разница (красный, с увеличенной осью справа) между двумя топографиями вдоль пунктирных линий на a – c. (h) Гистограмма (желтая) разности рельефа, показывающая разницу в высоте ок.0,8 нм между двумя пиками Гаусса (черный). Масштабная линейка составляет 500 нм.

    Рисунок 3:
    Удаление поверхностных агрегатов в состаренном образце. (а) Топография исходного образца. (б) Топография …

    Здесь стоит отметить, что о существовании ультратонких мезоскопических кластеров еще не сообщалось, несмотря на многочисленные исследования PCDTBT-PCBM.С другой стороны, было показано, что хромосомные пучкообразные кристаллы PCBM могут расти внутри PCDTBT [25]. Стратификация поверхности с образованием почти чистого слоя PCBM, обогащенного верхней поверхностью, также описывалась для PCDTBT-PCBM [26]. В предыдущих отчетах было показано, что изменение состава происходит во всем объеме активного слоя. Однако, поскольку методы СЗМ в первую очередь характеризуют поверхность (с контактом зонд-образец или без него), мы делаем вывод, что ультратонкие слои, исследованные в этом отчете, лежат на поверхности.Мы также отмечаем, что образцы, используемые здесь, не оптимизированы для типичных рабочих условий PSC (например, термически отожжены или обработаны растворителем для максимальной эффективности преобразования), поэтому может быть возможность наблюдать структуры, о которых ранее не сообщалось или не исследовалось.

    Картирование электрических свойств поверхностных агрегатов

    Мы исследовали электрические свойства поверхностных агрегатов, выполнив и сопоставив KPFM и C-AFM в одних и тех же положениях на случайно выбранных областях. Топография, потенциал, прямой ток (смещение наконечника -5 В относительно подложки ITO) и обратный ток (смещение наконечника +5 В) были последовательно получены для нормальной объемной области (не содержащей агрегатов) и для областей, содержащих поверхностные агрегаты, как показано на Рисунке 4. Для нормальной области измеренный потенциал показывает небольшое изменение от пика к пику, приблизительно, приблизительно. 30 мВ, в то время как агрегированные области обычно имеют потенциал ок. На 0,1–0,3 В ниже, чем у их окружения. Измеренные прямой и обратный токи для нормальных областей показывают разные распределения, как и в предыдущем отчете [27].Пространственное согласование измерений различных методов АСМ было удовлетворительным, основываясь на сходстве между изображениями потенциального и прямого (-5 В) тока, показанными на рисунках 4b и 4c, а также на полученных топографиях (здесь не показаны). Определение характеристик было выполнено с использованием только двух значений напряжения (+5 В и -5 В), но типичная кривая зависимости тока от напряжения показана на дополнительном рисунке S6 (вспомогательный информационный файл 1).

    Рисунок 4:

    Соотношение потенциала и тока для нормальных и дефектных участков.(а) Топография нормальной объемной области. (б) Потенциал нормальной зоны. (c) Ток для той же площади, измеренный при прямом (−5 В) смещении наконечника. (d) Ток той же площади при обратном (+5 В) смещении наконечника. (e) Вероятность появления дефектной области, содержащей поверхностные агрегаты. (f) Соответствующий прямой ток. (g) Возможность появления второй дефектной области. (h) Соответствующий обратный ток. Черные контурные линии подчеркивают корреляцию между потенциалом и электронным током на (b) и (c) и границами дефекта на панелях (e) — (h).Масштабная линейка составляет 500 нм.

    Рисунок 4:
    Соотношение потенциала и тока для нормальных и дефектных участков. (а) Топография нормального …

    Коррелированные измерения и анализ потенциала и тока также применяются к двум различным областям, содержащим поверхностные агрегаты (рис. 4e, f для прямого тока и рис. 4g, h для обратного тока).Сопоставляя измерения потенциала и тока друг с другом, можно заметить, что поверхностные агрегаты дефектны в отношении переноса тока. Их дефектный характер трудно различить на изображении прямого тока, хотя можно наблюдать небольшие спорадические непроводящие пятна (темно-синие) в интересующей области (черный контур). С другой стороны, изображение обратного тока показывает почти полное отсутствие тока для поверхностных агрегатов (белый цвет = отсутствие тока). Поскольку слой агрегации блокирует большую часть тока обратного смещения и часть тока прямого смещения, перенос заряда через агрегаты от активного слоя к верхнему электроду может снизить производительность PSC.

    Чтобы охарактеризовать поведение диода при прямом и обратном токах, мы провели трехмерный анализ методом конечных элементов (МКЭ) и расчеты туннелирования заряда для системы верхних и нижних электродов, как показано на рисунке 5. Распределение электрического поля в Измерения АСМ отличаются от измерений на уровне устройства, которые содержат плоские электроды, так что здесь уместен анализ геометрии параллельных пластин [28,29].Для моделирования методом МКЭ мы использовали радиус наконечника 25 нм, угол конуса наконечника 17 ° и расстояние между наконечником и электродом 80 нм. Кроме того, типичные уровни энергии PCDTBT, PCBM и PEDOT: PSS были использованы для построения энергетических диаграмм на рис. 5b – d. Поскольку игла находится на воздухе, мы использовали работу выхода платины 4,25 эВ [30]. Поскольку диаметр острия в несколько раз меньше, чем толщина активного слоя, электрическое поле больше не является однородным, а его сила увеличивается около острия (рис. 5a), что вызывает изгиб полосы в сторону наконечника (рис. 5b), что приводит к более узкому энергетическому барьеру на стыке зонд-образец (рис. 5c, d).Из-за эффекта изгиба полосы и умеренного смещения, приложенного к проводящему наконечнику, заряды в основном вводятся со стороны наконечника, по сравнению с нижним электродом PSC. Это легко понять, сравнив энергетические барьеры, показанные на рис. 5c, d (заштрихованная область). Таким образом, основными носителями заряда для прямого и обратного токов в нашей системе являются электроны и дырки соответственно. Преобладающие носители заряда в C-AFM могут быть дополнительно оптимизированы путем выбора более подходящего материала покрытия наконечника [31].

    Рисунок 5:

    Конечноэлементный анализ и расчеты квантового туннелирования Вентцеля – Крамерса – Бриллюэна системы игла – электрод и результирующего изгиба энергетических зон. (а) Распределение электростатического потенциала в пространстве между наконечником (красный) и нижним электродом.(b) Расчетная энергетическая диаграмма вдоль кратчайшего пути от конца наконечника до нижнего электрода, показывающая встроенную контактную разность потенциалов и изгиб ленты. Сплошные черные и пунктирные синие линии используются для уровней энергии PCDTBT и PCBM соответственно. (c) Обратный ток смещения показывает меньший барьер для отверстий со стороны наконечника (розовая стрелка). (d) Прямой ток смещения показывает меньший барьер для электронов со стороны наконечника (желтая стрелка). (e) Кривые коэффициента пропускания электронов (красные), инжектированных со стороны наконечника и протекающих через уровень PCDTBT LUMO к нижнему электроду, и отверстий (зеленые, незначительные), инжектированных со стороны образца, протекающих через уровень HOMO PCDTBT к наконечнику.(f) Туннелирование электронов (красный), инжектированных со стороны наконечника, протекающих через уровень LUMO PCBM к нижнему электроду, и отверстий (зеленые, незначительные), инжектированных со стороны образца, протекающих через уровень HOMO PCBM к наконечнику. (g) Туннелирование отверстий (красный), вводимых со стороны наконечника, протекающих через уровень PCDTBT HOMO к нижнему электроду, и электронов (зеленый, незначительный), вводимых со стороны образца, протекающих через уровень PCDTBT LUMO к наконечнику. (h) Туннелирование отверстий (красный), вводимых со стороны наконечника, протекающих через уровень HOMO PCBM к нижнему электроду, и электронов (зеленый, незначительный), вводимых со стороны образца, протекающих через уровень LUMO PCBM к наконечнику.Обратите внимание, что в (e) — (h) поведение доминирующей несущей показано красным (и указано в заголовках графиков), а поведение неосновной несущей показано зеленым. Обратите внимание также на большие различия в масштабе вертикальных осей в (e) — (h).

    Рисунок 5:
    Конечноэлементный анализ и расчеты квантового туннелирования Вентцеля – Крамерса – Бриллюэна для Tip – Ele. ..

    Помимо качественного анализа энергетической диаграммы, мы рассчитали квантовый туннельный коэффициент прохождения ( T ) носителей заряда через барьер для границ раздела металл-донор и металл-акцептор. Коэффициент передачи, определяемый приближением Вентцеля – Крамерса – Бриллюэна (ВКБ), имеет вид:

    , где x 1 и x 2 — границы потенциального барьера, м — масса носителя заряда, — приведенная постоянная Планка, В ( x ) — изогнутая энергия уровень либо самой низкой незанятой молекулярной орбитали (LUMO), либо самой высокой занятой молекулярной орбитали (HOMO) PCDTBT и PCBM, а E — смещенная энергия Ферми электрона или дырки на острие Pt и PEDOT: PSS. Поскольку измеренные токи в C-AFM связаны с коэффициентом передачи, полезно проанализировать все возможные маршруты туннелирования, как показано на рис. 5e – h. Красные и зеленые кривые на рисунках представляют инжекцию носителей заряда со стороны наконечника и снизу соответственно. Можно подтвердить, что инжекция зарядов снизу намного меньше, чем инжекция со стороны наконечника, как качественно обсуждалось выше. Кроме того, четко прослеживается диодоподобное поведение перехода металл-полупроводник, что согласуется с измерениями C-AFM для дефектных областей.Результаты моделирования также показывают разницу в несколько порядков между скоростью прохождения электронов и дырок через донорные и акцепторные материалы. В соответствии с общим принципом работы PSC это означает, что электронный ток предпочитает акцепторный путь, а дырочный ток предпочитает донорный путь из-за разницы в энергии уровней HOMO и LUMO. Расчеты также показывают, что основные носители заряда инжектируются со стороны иглы, в то время как инжекция противоположных носителей заряда из нижнего электрода незначительна. Если подать на иглу +5 В (-5 В), то на иглу будут подаваться дырки (электроны), которые вводятся в образец. В то же время соответствующая инжекция электронов (дырок) из нижнего электрода незначительна. Поэтому в основном наблюдают поток дырок (электронов) при приложении к зонду +5 В (−5 В).

    Согласно результатам экспериментов и моделирования, поверхностные агрегаты не проводят дырок, в то время как они не блокируют большую часть электронной проводимости.Это согласуется с наблюдением больших перепадов потенциала в этой области, если учесть, что в этой области возник дефицит дырок (или накопление электронов). Электроны, генерируемые активным слоем, могут присутствовать где угодно, включая агрегаты. Однако образовавшиеся дыры не могут присутствовать на агрегатах. Локализация отрицательных зарядов в поверхностных агрегатах приводит к сильному отрицательному контрасту в измерениях KPFM.

    Здесь стоит отметить, что результаты моделирования зависят только от уровней энергии материалов и не учитывают их пространственное распределение.В реальных устройствах BHJ как макроскопическая морфология, так и микроскопическая конформация доноров и акцепторов очень сильно влияют на общую подвижность носителей заряда. Следовательно, для правильного фундаментального понимания физики и химии устройства необходимо учитывать перекрытие HOMO и LUMO и скачки заряда между молекулами [32-34]. Тем не менее, моделирование обеспечивает полезную качественную информацию для понимания измерений C-AFM на PSC.

    Модификация поверхностных агрегатов бимодальным АСМ

    Поскольку поверхностные агрегаты дефектны в отношении переноса заряда (полностью для дырок и частично для электронов), представляет интерес выявление нижележащего объемного активного слоя и наблюдение переноса заряда в непокрытой области. Хотя при сканировании дефектной области состаренного образца с помощью KPFM легко удалить агрегаты, использование состаренных образцов не идеально для этого исследования из-за деградации активного слоя. Токовые сигналы, особенно для тока с преобладанием дырок, обычно уменьшаются более чем в десять раз после нескольких недель хранения в условиях окружающей среды. Однако, как упоминалось выше, удаление агрегатов с помощью KPFM не работает для свежих образцов. Таким образом, мы применяем контролируемое бимодальное АСМ индентирование [35,36] к поверхностным агрегатам свежих образцов, чтобы продемонстрировать процесс модификации.Поскольку агрегаты очень тонкие, мы изменяем пиковую силу бимодального АСМ ровно настолько, чтобы разбить агрегаты, избегая дополнительной модификации образца.

    Обычно многочастотный АСМ использует первую собственную моду кантилевера для управления расстоянием между зондом и образцом и получения топографии, а также более высокие собственные моды для измерения дополнительных свойств [37,38]. Мы также ранее показали, что пиковые силы можно легко модулировать, изменяя амплитуду более высокой собственной моды [36].В наших экспериментах бимодальный АСМ с использованием первой и третьей собственных мод (примерно 65 кГц и примерно 1,2 МГц соответственно, рисунок S7, вспомогательный информационный файл 1) кантилевера Multi75E-G (Budget Sensors, Nanoworld) реализован для разрушения и удалить поверхностные агрегаты. Как показано на рисунке 6, четыре набора изображений, содержащих топографию и амплитуду третьей собственной моды, последовательно получены с помощью бимодальной АСМ в режиме отвода. Агрегаты поверхности визуализируются как темные области на амплитудном изображении и полностью исчезают в течение четырех последовательных сканирований изображения.Также можно заметить топографические вариации в областях, соответствующих более темным участкам амплитудных изображений. Зигзагообразные модели перетаскивания исчезают, и итоговая топография не показывает существенных доказательств существования агрегатов. Поскольку жесткость пружины третьей собственной моды составляет ок. В 308 раз больше жесткости пружины первого режима [18], глубина вдавливания и пиковая сила бимодальной обработки в основном контролируются более высокой собственной модой [36]. Малая свободная амплитуда третьей собственной моды (ок.3 нм, рисунок S7, вспомогательный информационный файл 1) обеспечивает контролируемое неглубокое вдавливание в поверхность. Поскольку объем агрегатов в области сканирования составляет около 0,58 · 10 −18 л (с общей массой менее 1 · 10 −15 г) [39], рассчитанный из темной области (36%) на рисунке 6e и толщину ранее полученных агрегатов (около 0,8 нм), очень трудно определить конечное назначение удаляемого материала. Мы предполагаем, что он, вероятно, прикрепляется к кончику за счет притягивающих взаимодействий, таких как Ван-дер-Ваальсова или химическая адгезия, после разрыва контакта и отслоения.

    Рисунок 6:

    Удаление поверхностных агрегатов во время последовательной бимодальной АСМ-визуализации. (a) — (d) Топографии, последовательно полученные с помощью бимодальной АСМ в режиме ответвления, с использованием первой собственной моды кантилевера для управления дистанционной обратной связью и третьей собственной моды для модуляции вдавливания.(e) — (h) Сигнал третьей амплитуды собственной моды, соответствующий свободной амплитуде около 3 нм, показывает агрегаты как более темные области. Масштабная линейка составляет 200 нм.

    Рисунок 6:
    Удаление поверхностных агрегатов во время последовательной бимодальной АСМ-визуализации. (a) — (d) Последующие топографии …

    Эффект бимодальной модификации АСМ наблюдается при измерениях потенциала и фазы (рис. 7a – d) до и после лечения.Область манипулирования — это центральная квадратная область на рис. 7c, d. Потенциал и фаза подтверждают, что поверхностные агрегаты исчезли, а нижележащий активный слой обнажился, так что эта область стала похожей на обычную окружающую область, то есть объемный активный слой. Хотя измерение KPFM показывает удаление агрегатов, более поучительно наблюдать за прямыми и обратными токами в одной и той же области, чтобы проверить восстановленную функциональность непокрытой области. Здесь измеренные токи (рис. 7д, е) не показывают дефектов, что свидетельствует о полном восстановлении проводимости активного слоя.

    Рисунок 7:

    Измерения потенциала и тока после удаления поверхностных агрегатов. (а) Потенциал до лечения бимодальным АСМ. (б) Фаза до лечения. (c) Потенциал после бимодального сканирования AFM, показывающий обработанную центральную квадратную область.(d) Соответствующая фаза после бимодального сканирования. (e) Прямой (электронный) ток после удаления не показывает дефектных пятен. (f) Обратный (дырочный) ток после удаления не показывает дефектных участков. Черные контурные линии выделяют границы дефекта на (а). Масштабная линейка составляет 500 нм.

    Рисунок 7:
    Измерения потенциала и тока после удаления поверхностных агрегатов.(а) Возможность до …

    Здесь стоит отметить, что сигналы тока восстанавливаются не только для обработанной области, но также и для области, не обработанной бимодальным АСМ (темная область на рисунке 7c). Это связано с тем, что все поверхностные агрегаты исчезли во время визуализации C-AFM из-за использования более жесткого кантилевера Multi75E-G (бюджетные датчики, силовая константа к ≈ 2 Н / м, заданное значение: 10–20 нН) для выполнения бимодальный АСМ с постукиванием, последовательно с контактным С-АСМ и бесконтактным КПФМ.Кантилевер, используемый для корреляции потенциала и токов на рисунке 4 (PPP-CONTSCPt, NanoSensors), имеет меньшую жесткость пружины ( k = 0,5–1,0 Н / м) и, следовательно, более слабую жесткость на кручение. В общем, невозможно поддерживать процесс визуализации в режиме отталкивания для более мягкого кантилевера на полимерных образцах. С другой стороны, мягкий кантилевер позволяет получить корреляции тока и потенциала для дефектных областей без значительного изменения структуры агрегатов, применяя лишь несколько наноньютонов силы обратной связи.Хотя в принципе возможно использование АСМ в контактном режиме для лечения, это не так практично, поскольку сила бокового трения не контролируется, так что обработка в контактном режиме иногда оставляет сломанные остатки вокруг исследуемой области (см. Рисунок S8. , Файл вспомогательной информации 1) и может повредить образец.

    О происхождении поверхностных агрегатов

    Было подтверждено, что агрегаты представляют собой кластеры полупроводниковых молекулярных слоев, лежащих поверх активного слоя.Поскольку структура показала дефектное поведение при транспортировке носителей заряда, полезно определить их происхождение. Трудно использовать такие методы, как рентгеновская или электронная дифракционная спектроскопия, из-за монослойной структуры и очень небольшого объема агрегатов (порядка одного аттолитра). Таким образом, мы обсуждаем возможный источник агрегатов, включая донорный полимер, акцепторный полимер, другие примеси и загрязнение окружающей среды.

    Во-первых, образцы были изготовлены с использованием того же метода и процедуры для корпусов DCB и CB, поэтому мы можем исключить загрязнение окружающей среды. Во-вторых, образцы были изготовлены много раз в течение нескольких месяцев с использованием разных партий донорных и акцепторных объемных материалов и показали одинаковое поведение, так что случайное добавление других примесей, как ожидается, не будет источником агрегатов. В-третьих, если молекулы донорного полимера накапливаются на поверхности, можно ожидать, что он будет проводить дырки (см. Рис. 5) и иметь положительный контраст для измерения потенциала. Однако, если агрегаты состоят из акцепторных молекул, дырочная проводимость будет недостаточной (см. Рис. 5), и локализация электронов вызовет отрицательные изменения потенциала [40].Кроме того, измеренная толщина кластерного слоя аналогична диаметру фуллеренов, если мы рассматриваем частично скрытые молекулы PCBM или молекулы, деформированные посредством AFM-индентирования. Таким образом, мы приходим к выводу, что наблюдаемые структуры, скорее всего, являются агрегатами ПКБМ. Агрегаты PCBM в PCDTBT: PSCs PCBM не могут быть различимы при измерениях в объемном масштабе для нормальных условий отжига, используемых здесь [41]. Однако они обнаруживаются в типичных условиях производства, когда образцы исследуются в наномасштабе, так что последовательные измерения AFM, как показано здесь, могут быть чрезвычайно полезны для дальнейшего понимания и оптимизации характеристик PSC.

    Фотоэлектрические явления и методы фотоэлектрической характеристики МОП-системы — основы и новые разработки

    [1]
    Р.Фаулер Х. Анализ кривых фотоэлектрической чувствительности чистых металлов при различных температурах // Phys. Ред. 38 (1931) 45-56.

    DOI: 10. 1103 / Physrev.38.45

    [2]
    ГРАММ.В. Гобели, Ф.Г. Аллен, Прямые и непрямые процессы возбуждения в фотоэмиссии из кремния, Phys. Ред. 127 (1962) 141-149.

    DOI: 10.1103 / Physrev.127.141

    [3]
    Ф. Г. Аллен, Г.В. Гобели, Работа выхода, фотоэлектрический порог и поверхностные состояния атомарно чистого кремния, Phys. Ред. 127 (1962) 150-158.

    DOI: 10.1103 / Physrev.127.150

    [4]
    Э.О. Кейн, Теория фотоэлектрической эмиссии полупроводников, Phys. Ред. 127 (1962) 131-141.

    DOI: 10.1103 / Physrev.127.131

    [5]
    Э. О. Кейн, Простая модель эффектов столкновения в фотоэмиссии, Phys. 147 (1966) 335-339.

    [6]
    Э.О. Кейн, Структура, обусловленная транспортными эффектами в фотоэлектрических распределениях энергии, J. Phys. Soc. Яп. 21 (1966) 37-45.

    [7]
    Дж. М. Баллантайн, Влияние потерь энергии фононов на выход фотоэмиссии вблизи порога, Phys. Ред. B 6 (1972) 1436-1455.

    DOI: 10.1103 / Physrevb.6.1436

    [8]
    Р.Дж. Пауэлл, Фотоинжекция в SiO2: Использование оптической интерференции для определения вкладов электронов и дырок, J. Appl. Phys. 40 (1969) 5093-5101.

    DOI: 10.1063 / 1.1657358

    [9]
    Р. Дж. Пауэлл, Определение энергии межфазного барьера по зависимости токов фотоинжекции от напряжения, J. Appl. Phys. 41 (1970) 2424-2432.

    [10]
    С.Н. Берглунд, Р.Дж. Пауэлл, Фотоинжекция в SiO2: рассеяние электронов в силовой яме изображения, J. Appl. Phys. 42 (1971) 573-579.

    DOI: 10.1063 / 1.1660066

    [11]
    В. Афанасьев В. Внутренняя фотоэмиссионная спектроскопия, принципы и приложения, Эльзевир, Амстердам, (2008).

    [12]
    ЧАС.M. Przewlocki, D. Brzezinska, O. Engstrom, Выход фотоэмиссии и определение глубины выхода электронов в структурах металл-оксид-полупроводник на кремниевых подложках N + -типа и P + -типа, J. ​​Appl. Phys. 111, (2012), 114510.

    DOI: 10.1063 / 1.4722275

    [13]
    ЧАС. М. Пржевлоки, Фотоэлектрические явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при низких электрических полях в изоляторе, J. Appl. Phys. 78, (1995), 2550.

    DOI: 10.1063 / 1.360112

    [14]
    ЧАС.М. Пржевлоки, Внутренние фотоэмиссионные характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник при малых электрических полях в изоляторе, J. Appl. Phys. 85, (1999), 6610.

    DOI: 10. 1063 / 1.370169

    [15]
    ЧАС.М. Пржевлоки, Теория и приложения внутренней фотоэмиссии в МОП-системе при низких электрических полях, Твердотельная электроника 45, (2001), 1241.

    DOI: 10.1016 / s0038-1101 (00) 00274-4

    [16]
    Т. Гутт, Х. Пржевлоки, К. Пискорский, А. Михайлов, М. Баковски, PECVD и оксиды теплового затвора на 3C и 4H SiC: влияние на утечку, ловушки и смещения энергии, ECS Journal of Solid State Science and Technology 4 (9), (2015) ), М60.

    DOI: 10.1149 / 2.0101509jss

    [17]
    Я.З. Митрович, Х. Пржевлока, К. Пискорский, Г. Симутис, В. Дханак, Н. Седги, С. Холл, Влияние кислорода на настройку работы выхода металлического затвора TiNx на LaLuO3, Thin Solid Films 520, (2012), 6959.

    DOI: 10. 1016 / j.tsf.2012.07.082

    [18]
    ЧАС.М. Пржевлоки, Т. Гутт, К. Пискорски, М. Баковски, Зонные диаграммы и распределения ловушек в структурах металл-SiO2-SiC (3C) с различными металлическими затворами, ECS Transactions 50 (3), (2012), 231.

    DOI: 10.1149 / 05003.0231ecst

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
      браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с вашим системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie
    потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт
    не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к
    остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Биовосстановление оксида графена: каталитическое применение (восстановленного) GO в органическом синтезе

    Название: Биовосстановление оксида графена: каталитическое применение (восстановленного) GO в органическом синтезе

    ОБЪЕМ: 17 ВЫПУСК: 3

    Автор (ы): Виджаи К.Рай *, Сухасини Махата, Хемант Кашьяп, Манорама Сингх и Анкита Рай

    Принадлежность: Отделение химии, Гуру Гхасидас Вишвавидялая, Биласпур (CG) -495009, Отделение химии, Гуру Гхасидас Вишвавидялая, Биласпур (CG) -495009, Отделение химии, Гуру Гхасидас Вишвавида 500 (Биласпур, 499 Гиласавид) Департамент химии, Гуру Гхасидас Вишвавидялая, Биласпур (CG) -495009, Школа физических наук, Университет Джавахарлала Неру, Нью-Дели, 110027

    Ключевые слова: Оксид графена, восстановленный оксид графена, свойства GO / rGO, зеленый синтез rGO, каталитические применения, биовосстановление.

    Abstract: Работа основана на различных методах биовосстановления оксида графена в восстановленный оксид графена и
    их применение в органическом синтезе и групповых превращениях. Оксид графена с обильным содержанием кислорода
    функциональные группы на его базисной плоскости, обеспечивает потенциальные преимущества, в том числе отличную диспергируемость
    в растворителях и хорошем гетерогенном катализаторе. В этой рукописи рассматриваются различные методы синтеза
    графен и оксид графена и сравнительное исследование их преимуществ и недостатков, как
    преодолены недостатки и охватывает обширный обзор соответствующей литературы.В последние несколько лет расследование
    основан на замене методов химического восстановления некоторыми биосовместимыми, химическими / не содержащими примесей rGO
    включая мгновенное фото восстановление, гидротермальную дегидратацию, сольвотермическое восстановление, электрохимический подход,
    Сообщалось о сокращении с помощью микроволн, снижении, вызванном светом и радиацией. В частности, завод
    экстракты широко применялись в качестве эффективных восстановителей из-за их огромной биодоступности и низкой
    стоимость биовосстановления оксида графена.Эти растительные экстракты в основном содержат полифенольные соединения, которые
    легко окисляются до соответствующей неактивной формы хинона, которые являются движущей силой для выбора
    их как биосовместимый катализатор. В настоящее время предпринимаются усилия по разработке биосовместимых методов для
    восстановление оксида графена. О восстановительной способности таких фитохимических веществ сообщалось в
    синтез и стабилизация различных наночастиц, а именно. Ag, Au, Fe и Pd. Различные части растительного экстракта имеют
    был применен для зеленого восстановления оксида графена.Кроме того, в рукописи описывается каталитический
    применение нанолистов из оксида графена и восстановленного оксида графена в качестве эффективных карбокатализаторов для ценных
    органические превращения. Здесь представлены важные работы, посвященные исследованию материалов на основе графена в качестве карбокатализаторов,
    включая GO и rGO для органического синтеза, включая преобразования различных функциональных групп,
    были выделены реакции окисления, восстановления, сочетания и большое количество многокомпонентных реакций.Наконец, цель этого исследования — дать представление о будущих тенденциях и перспективах использования графена.
    материалы в безметалловом карбокатализе в зеленом синтезе различных фармацевтически важных фрагментов.

    .: Том. 26 №1:.

    Авторы Александр Иванович Чумаков Александр Юрьевич Никифоров Виталий Александрович Телец Вадим Викторович Елесин Галина Николаевна Назарова Георгий Викторович Чуков Николай Александрович Усачев Денис Иванович Сотсков Анна БорисовнаБоруздина Анастасия Васильевна Уланова Андрей Валерьевич Яненко Игорь Васильевич Лавров Борис Георгиевич Грибов Николай Николаевич Герасименко Д.И. Смирнов Александр Леонидович Стемпковский Сергей Владимирович Гаврилов Виктор Иванович Эннс В.А. Романюк А.Н. Соловьев Н.О. Крыликов Анатолий Васильевич Щагин Сергей Петрович Тимошенков А.С. Шалимов С.А. Терещенко Анатолий Иванович ПогаловГеннадий А. Блинов Светлана А. Бахвалова Андрей А. Семенов Дмитрий А. Усанов А.В. Гуреев П.С. Поперечный Алексей Леонидович Переверзев Вячеслав Александрович Сергеев Виталий Иванович Смирнов Евгений Николаевич Вигдорович Константин О.Петросянц Л.М., Самбурский И.А. Харитонов Борис Геннадьевич Коноплев О.А. Агеев Александр Александрович Голишников М.Г. Путря Елена Николаевна Рыбачек В.В. Корнеев Д.В. Семенов Константин Сергеевич Лялин Виктор В. Чистюхин Владимир Михайлович Трояновский Алексей Николаевич Белов Николай Александрович Дюжев А.Ф. Попков А.В. Ковалев Юрий В. Савченко Александр А. Куликов Сергей А. Гаврилов Ирина В. Сагунова Юрий П. Лисовец А.С. Басаев В.Д. ВернерЮрий Анатольевич Чаплыгин Владимир Владимирович Амеличев В.М. Рощин М.В. Силибин Алексей Николаевич Якунин Степан Александрович Неустроев Михаил А.Королев Билал А. Билалов В. А. Бахманов И.В. Заболотнов А.Н. Денисов А.М. Бейн Андрей Юрьевич. Титов Евгений Валерьевич Кузнецов В.В. Филиппов Ю.Ю. Разуваев С.С., Шмелев К.А. Царик В.К. Неволин Лариса Геннадьевна Гагарина Яна Олеговна Теплова О.В. Кольцова А.А. Зайцев С.А. Анчутин Владимир Борисович Кольцов Арнольд К. Мороча Борис Михайлович Симонов Скрипаль И.И. Бобринецкий С.В. Булярский О.В. Пятилова А.В. Гальперин Александр Александрович Павлов Ю.П. Шаман Д.В. Телышев Э.М. Портнов Ю.А. Михайлов Ю.Е. Григорашвили А.В. Бухлин Юрий ИвановичШтерн Я.С. Кожевников М.Ю. Штерн Василий Иванович Шевяков Валерий Павлович Тимошенков Сергей Г. Новиков Сергей В. Дубков С.В. Селищев Е.С. Балака А.В. Демьяненко Н.А., Базаев В.М. Гринвальд Татьяна Юрьевна Крупкина И.М. Гаврилин Н.И. Малащевич Сергей А. Поломошнов Р.А. Федоров Игорь Васильевич Матюшкин Сергей Ю. Краснобородько Ю.П. Маслобоев С.В. Гаврилов Владимир Анатольевич Беспалов Б.М. Шабанов П.Н. Телегин Вячеслав Владимирович Светухин Борис Михайлович Костишко В.Д. Рисований Владимир Иванович Егоркин Максим Николаевич Журавлев Владимир ВикторовичКапаев А.С. Шулятьев Алексей Анатольевич Резнев Александр Н. Сауров Александр Григорьевич Борисов Денис Анатольевич Костюков Виктор Д. Садков С.В. Лемешко Ю.Ф. Адамов Олег В. Петров Алексей Иванович Терентьев В.В. Демьянов Шерченков Алексей А.А. Шишкевич Александр Евгеньевич Постельга Г.Д. Демин Евгения Анатольевна Артамонова Антон Юрьевич Красюков Д.В. Пономарев Николай Иванович Боргардт Роман Леонидович Волков Виктор Владимирович Лучинин Ю.М. Таиров Алексей Валерьевич РомашкинСергей Умняшкин Владимир Викторович Лосев Александр Михайлович Ходаков Наталья Григорьевна Яременко Мария Викторовна Карачевцева Валерий А.Страхов Виктор Дмитриевич Колдаев Н.Е. Кулагин Л.А. Битюцкая Сергей А. Тарасов Иван А. Ламкин Екатерина А. Печерская А.В. КозловРоберт Д. Тихонов Андрей А. Черемисинов Илларион П. Ли Владимир С. Петров Евгений И. Минаков Илья В. Фролов М.Л. Плавич Анна Ивановна Гайдар Евгений Анатольевич Рындин А.А. Жуков Б.Н. Рыгалин Виолетта К. Прокофьева Андрей В. Селецкий Николай А. Шелепин Александр С. Рожков Калмыков В.В. ШулежкоЕкатерина Валерьевна Морозова Силкин В.П. Падеров М.О. Храпов А.В. ГлуховС.Калинин Евгений Юрьевич Чугунов Л.А. Антюфриева Михеев А.А. Журавлев В.Г. Иванов С.В. Соколов В.В. Каменских С.М. Ковалев Е.Н. Тищенко Р.В. ЗотовП.Ю. Вацков Олег А. Радаев А.А. Черторийский Н.М. Дисветова К.А. Звездин А.В. Алексеев Е.А. Лебедев Евгений Петрович Кицюк Р.М. Рязанов А.А. Дудин А.А. Полохин Андрей Владимирович Новак Виктор Р. Новак Анна Андреевна Дедкова Е.Е. Гусев СтарыхЮлия А. Юсипова М.И. ПавлюкСветлана Сергеевна Девликанова А.Е. Лапин Парменов А.Ю. Лысенко Василий Петрович Семаков А.А. Шабанов И.М. Белова А.Г. БеловВ.Каневский Е.П. Лысенко А.А. Кравченко А.А. Широков К.А. Панышев А.В. Строгонов Городков Даниил Анатольевич, Железников В.М. ХватовАунг Тура Посадский В.С. Тяжлов Д.В. Григорьев Алексей Александрович Перевалов Александр Дмитриевич Волоховский Дмитрий Сергеевич Петраков Андрей Сергеевич Рябышенков Ярослав Георгиевич Тетенкин Владимир Сергеевич Кононов Елена Сергеевна Карева Дарья Ивановна Рыжова Дмитрий А. БулахГеннадий Геннадий КазенновАлександр В. ЛапинПавел К. КондратьевИван А. Фатеев Л.Н. Долгий И.Ю. Ловшенко В.В. Нелаев А.В. Лакалин В.Б. ЛифшицЮ.В. AgrichS.O. ЧураевА.Рыбаков А.В. Песикова А.В. Фролов Тайский сын ЛеА.А. Балабанов Д.А. Балабанова И.В. Пьянов Д.В. Гусев В.С. Суханов Землянников Е.В. Суханова И.Г. Ермошин Б. Б. Костишко И.О. Явтушенко А.В. Солнышкин И.Л. Кислова А.В. SysaA.A. Строганов А.А. Михальчан А.А. Лысенко С.А. Лисицын О.И. Ильин М.В. ИльинаАл.В. Быков Н.М. Ларионов С.А. Слесарев Т.А. Баркинхоева Елена Анатольевна Севрюкова А.В. ЖемерикинМария А. Заплетина Win Htet ZawS.P. Романов Андрей В. Соловьев Романов С.С. Карташев Валерий Васильевич, Жаднов И.А. Иванов П.С.Королев С.Н. Полесский С.Х. Гаджимагомедов Н.М-Р. Алиханов Р.М. ЭмировД.К. ПальчаевЖ.Х. Мурлиева М.Х. Рабаданов С.А. Садыков М.М. Хамидов ХашафаЮрий Васильевич Сурин Александр Борисович Спиридонов С.В. Лицоев Валентина Петровна Мартынова А.В. Межов А.А. КарповскаяАлексей Валентинович Беринцев Александр Сергеевич Алексеев С.С.Арутюнян Кагирина Д.В. ЛаврухинСергей А.Гамкрелидзе Иванова С.П. Зимин Е.С. Горлачев Д.А. Мокров И.И. Амиров Валерий Федорович Гременок В.А. Иванов И.В. Уваров О.В. Морозов М.К. Аминов М.О. Изюмов ​​С.С. Лемехова А.Куприянов Н. Козлов М.С. Андрианова О.В. Губанова А.Е. Кузнецов И.Е. Абанин Михаил Петрович Кочетков Н.Н. Николаева М.А. Куприянова В.Б. Яковлев Е.Н. Яковлева Н.А. РасзживинЕ.И. Гуляева Е.О. Белоусов Ю.В. КругловДмитрий Васильевич Быков Григорьев Н.И. СтроганковаЯр Зар ХтунД.В. Колесников П.А. КондратовичДмитрий Михайлович Григорьев А.Ю. Завразина Ю.В. Назаркина Т.Д. Чиликина А.С. Сигов А.А. Шнякин А.В. Русанов А.В. Ткачев Ю.С. Балашов С.И. RembezaLin Maung SawАлександр М. ЛагунАнатолий А. СмолинАрмен В. СогоянВадим В.ГруздовКира Леонидовна ЕнишерловаЮрий В. КолковскийНикита В. ДавыдовСемен А. Капилин Игорь В. БеляевАлексей Р. ФедоровНиколай С. Акиньшин Владимир Леонидович Румянцев Олег Н. АкиньшинВадим А. Козлов Виктор Д. ПоповДмитрий С. Калистратов Федоров Дунымиты Д. Захаров А.Г. Италянцев Н.Н. Кононов С.Г. Дорофеев В.К. Самойликов С.С. Евстафьев Андрей Петрович Панов Андрей Николаевич Серов Мочегов Л.А. ЩигорёвЗав Е. Чяв И.А. Соколов Д.Ю. Скичко Боровков А.В. Васильев Н.Ю. Шичкин В.Д. Евдокимов И.Якушкин Валерий Иванович КаракеянКамшат Болатовна Умбетова Ринат Маратович Искакова Наталья Егоровна Коробова Валентина Дмитриевна Кравцова Евгений Михайлович СоколовСергей Д. Федотов Владимир Николаевич Стаценко Емельянов А.А. Осыкин Р.А. Морозов А.В. Никитина И.А. Суетина А.В. Тихомиров Е.В. Омельянчук А.Ю. Семенова В.Ю. Михайлов А.А. Шишкевич С.Г. Зароченцев В.И. Ковалев Алексей Александрович Пастухов Александр Александрович Прокофьев А.И. МаксимовскаяВиталий Иванович Орешкин Ю.В. Меркулова Ефимов И.А. Денисов Н.В. Пашкова А.В. ПршялговскаяП.Руденко А.В. Александрова А.А. Молгачев В.А. Голубятников С.В. ГавришСветлана Владимировна Пучнина Зуков Владимир Николаевич Горошко В.З. Петрова И.В. Федоров С.Н. Скорик А.Ю. Трифонов Е.П. Кириленко Рудольф А. Браже А. Ф. Савин А.Ю. Лосевской Владимир Федорович Петров В.В. Овчинников В.Г. Паксин В.Т. Комаров П.А. Федоров И.О. Троянчук Д.В. Карпинский К.Н. Неклюдов И.Н. Петухов К.С. Сенченко А.В. Рощина ШилинаР.К. Яфаров Е.С. Горнев С.Н. Орлов Алексей Сергеевич Тимошенков Н.И. ПлюснинД.Ю. Адамов А.В. АвдееваX. ZangA.G. МурадоваЕ.Юртов В.Ш. Меликян В.А. Галстян И.Ю. Мацур Поперечный И.Ю. Колесникова В.И. Янин С.А. Никитов Е.В. Латышева М.И. Завгородняя Л.В. Якимова А.А. Раскин К.К. Лаврентьев Р.Ю. Розанов Алексей Александрович Зайцев А.В. Лопаткин В.И. Джиган А.И. Смекалов А.М. Силантьев М.В. Катеев М.В. Кожухов В.А. Ванков К.С. Стародубцев И.Е. Абанин А.А. Шаманаев Д.М. Ермолаев Валерий Евгеньевич Земляков Александр Александрович Горбацевич С.Ю. Шаповал В.В. Конячин В.В. АравинДмитрий Викторович Костук С.И. Касаткин Данилова Литвиненко В.В. ПанковГ.Кузьмин А.А. Бахтин А.Г. Тимошенко Ломовская С.С. Меркулов Юрий Михайлович Мелешин Д.Б. Рыгалин И.С. Караваев М.С. Рогачев Вячеслав Александрович Бархоткин Сергей Борисович Симонов Дмитрий Николаевич Корольков В.Т. Мингазин Ю.В. Стицев Д.Д. Авров А.О. Лебедев А. Атдаев Александр Леонидович Данилюк В.А. Лабунов С.Л. Прищепа Владимир Иванович Кузнецов Петрунина Д.В. Журавлев А.И. MushtaA.M. Терещенко И.М. Бритков И.О. Шаронов М.В. Ловыгин А.С. Бугаев М. SeibtE.Y. ИльинВ. Гафуров А. Белин В.И. Золотарев А.Д. Попов Е.В. ПоповаД.Левин Д. Петухов Е.Ф. Певцов А.А. ГолицынЛ.А. Морозов А.В. Полынкин Александр Сергеевич Сивченко Сергей Сергеевич Генералов Д.В. Горелов Ю.В. Казаков А.В. УльяновП. ЕремеевЮрий Адамов Валерий Тимоченков Дмитрий Григорьевич Громов Алексей Александрович ШершенковЮрий Иванович Штерн Бокова А.В. Тучин И.П. Казаков А.В. Цикунов А.Н. Дормидонтов Н.М. ЛукановДмитрий Анатольевич Попов Ильин О.В. Мамутова О.В. Ненашев А.С. Филиппов О.М. BritcovD.V. КалеевР.В. Голованов А.В. Овчинников ФанНиколай А. Дюжев Н.С. Мазуркин В.С. Поздняков А.С. Юров М.Ю. Чиненков Рубашкина О.Г. Цуканова К.Ф. Ахмадишина И.А. Комаров А.М. Маловичко Г.Е. Федоров А.В. Головин А.О. Залевский Р.Д. Айдарханов А.Г. Чебыкин А.С. Меркутов М.А. Гурьянов Сергей Олегович Сафонов С.В. Фоминых А.А. Заворотный Пашинкин М.С. Михайлова В.В. КалугинВалентина Д. КравцоваМайра Б. Умерзакова Наталья Евгеньевна КоробоваДенис В. ВертяновТерехов Дмитрий ЮрьевичПетр Лазаренко Сергей Александрович КозюхинСергей А. ФилатовАлексей В. БабичДмитрий В. ПепеляевАнна А. Преснухина Н.Дмиттиль А.Баринов Игорь О. МетелкинНикита М. ЖидковВладислав А. ДмитриевПётр П. МальцевЮрий Е. ВысокихВладимир Н. БержанскийТатьяна В. МихайловаАлександр Н. ШапошниковАнатолий Р. Прокопов Александр С. НедвигаЗаур Г. Рыбаков Никита Евгеньевич РезниченкоГалина А. Иванова Владимир Т. РябовДмитрий Викторович Новиков Олег Петрович Пономарев Вячеслав Олегович Пономарев Алексей Сергеевич Волков Алексей Викторович МироновСултансаид С. Муратчаев Антон С.ЗаболотныйРуслан Г. ТарасовДенис А. Хомяков Валерий Леонидович МеньшиковАртем В. АлексахинДмитрий Николаевич ГулидовНиколай Ю. PetrenkoVjacheslav GavrilinSergo С. RekhviashviliMukhtar О. В. MamchuevViktor NarozhnovMuaed М. К. OshkhunovAlexey TlibekovThi Нгуен HangAlexey О. YakubovPetr И. А. LazarenkoAnna VolkovaSergey А. С. KozyukhinGeorgy ElizarovIlya Е. Н. TarasovPetr SovietovZaurbek В. В. BulatovAleksandr KochetovAlexey С. KlyuchnikovDarya И. Ефимова, Линн Аунг Наинг, Галина В. Косолапова, Иван В. Писаренко, Елена П.Зарецкая Валерий Федорович ГременокАлена В. Станчик Александр Н. Пятлицкий Виталий А. СолодухаКажмухан А. УразовМаргарита Б. ДергачеваСюлейман ОзчеликАлександр М. АлексеевМаксим В. РевинАнатолий П. КотковАнтолий Ф. Крицкая Валерий Ф. ШиловКяу Мио Аунг Андрей Г. ЕфимовЕвгений О. КупцовАунг Мио Сан Йе Наунг Зау Мин Хаинг Валентин В. Слюсар Сулейман Озчелик Владислав В. Зосимов Владимир И. СизовМарат С. ХасановТимофей А.Довгаль Василий Николаевич Тикменов Владимир Иванович Ухандеев Максим Иванович Собченко Михаил Ю. ДенискинДмитрий Валентинович СтрекопытовКяу Наинг Соэ Николай С. НеустроевАлександр А. БарановКсения С. ФоминаАнтон В. ПилькевичАнтон И. Шариков Елена Михайловна ШариковаДмитрий А. ГавриловАлексей В. ПавловИгор В. КузьминовИван С. Новожиловна Тарасенов Анн Виктор Александрович Виктор Сергеевич СавицкийВладимир Александрович ГудковАртем Михайлович МастининСупонников Дмитрий Александрович Путилин Андрей Николаевич Татаринова Елена Александровна Заур Г. Жгунев Анатолий Р. ДабаговНиколай Л.Дембицкий, Александр Михайлович Петраков, Вячеслав Анатольевич, Шевцов, Вячеслав А. ГалкинДмитрий Викторович МакаровМихаил К. ЧобануИван А. БелогороховЛюбов И. БелогороховаОлег Г. АшхотовСослан А. ХубежовИрина Б. АшотоваЗалим М. ХамдоховЗаур Ч. Маргушев Эльдар З. Хамдохов Руслан Ш. ТешевМухамед Д. БавижевСергей Е.Резчиков Константин О.Петросянц Игорь В. МалышевКонстантин А.ФилОльга А.ГончароваНаталья Леонидовна ЕвдокимоваВладимир В.ДолговКирилл А.ИвановНиколай В.ГуминовМин Тхант МиоДалер П.ВалихинЮлия Михайловна ЕрмошенкоАртем Николаевич ВиноградовТимур Михайлович ГаджиевМарат А. АлиевАбиль Ш. АсваровРиза М. ГаджиеваАбубакар М. ИсмаиловЗамир В. ШомаховТатьяна И. МаковскаяАнна В. КривошееваВиктор Леонидович ШапошниковВиктор Э. Борисенко Андрей Иванович СомовМамед Р. Исмаил-Заде Лев М. Самбурский Денис В. Г. РябцевСергей В. Волобуев Вазген Ш. МеликянАндраник Константинович АйрапетянКостанян Акоп Т.МаргарянАйк В.МаргарянГайк Т.ГригорянАрмен А. Мартиросян Е Ко Аунг Ло Ван Хао Тамара Г. Нестеренко Дмитрий В. Воротнев Роман В. Голованов Александр В. Мешков Елена О. Мешкова Игорь Петрович Кобяк Александр С. ГуляевРенат Т. СибатовГригорий А. Рудмонов Владислав Э. АртамоновМаксим Иванович СафроновАнатолий В. ПечерскийАлиса А. ПолунинаИван Ф. ХанбековДмитрий Николаевич ЛоктевВиктор Н.МордковичАлексей В. ЛеоновМарина А. Асаёнок Андрей Олегович ЗеневичЕвгений В. НовиковМарина Д. ПавловаАлександр Е.ДегтеревОксана В. ГубановаЕвгений Н. ПетровСергей С. ЛупинИгорь Н. ГончаровЕвгений Н. КозыревВладимир В. Урумов Андрей В. Любимов Егор П. КорчагинАлексей И. КозлитинНаталья Г. ОсипенковаАнтон Е. ЧерняковВазген Ш. МеликянКарен Т. ХачикянГрачья В. ГумроянАрмен В. БабаянСурен А. АвушянКимик Т. Акопян Елена А. ВолковаАлександр В. УгроватовМария Д. КопыловаИгорь О. ГайдукЕвгений А. КремерАрина В. Можзухина Ермгури С.Г.КожевниковНиколай В. ЧерняевТатьяна Д. Жукова Андрей Сергеевич ТимошенковДмитрий Александрович ДолговСветлана Олеговна БелостоцкаяМамед Р. Исмаил-Заде Гаврилов Д.А. ZheleznikovR.Z. ЧочаевСироджиддин ЗайнабидиновДилшад Э. НазировАлександр Григорьевич КаменевСтанислав Александрович КорнеевДмитрий Викторович ГузатовСергей В.ГапоненкоОльга И. ТевельХан Мио Хтун Антон Александрович ЧердинцевГлеб А. Иванов Александр Владимирович Тимошенко Анатолий ЮрьевичПерлов Виктория Михайловна АнтошинаДмитрий Валентинович РябченкоКристина М. ШепиловаАндрей В. ШипатовМаксим Олегович НикифоровАлександр А. ГоловлевНаталия В. БерезинаОльга В. КондратьеваАлександр Д. Иванников Егор Н. БеловАлександр В. ШвецСтанислав Александрович Куджан Захаров Ольга В. ВолковаЕкатерина Л. РомановаWai Yan Min Ольга Б. КухтяеваИнга В. ТвауриРустам З. ЧочаевАртем В. МакшаковОльга С. ВолковаКирилл А. ВасильченкоВладислав Олегович ЖилинскийДмитрий С.ПечерицаАлексей В. АфанасьевВладимир А. ИльинСергей А. РешановИван В. СилаевТамерлан Т. МагкоевТатьяна И. Радченко Андрей В. ВоробьевВладимир Д. ЖораНиколай И. ПлисДария А. ЕлисееваДенис В. ЖуковАнастасий В. Калёнов Владимир Павлович Крылов Алексей Михайлович Богачев Александр Иванович Попов Ольга В. КочергинаХант Вин Леонид В. НедашковскийВладислав С. МатвеевАфиг Р. Гасанов Руслан А. Гасанов Ровшан А. Ахмедов Масуд В.Садыхов Дмитрий Иванович Немченко

    Рубрики безопасность и противодействие терроризму биомедицинская электроника Биофизика и медицинская физика Физика конденсированных сред методы и технологиимикро- и наносистематехнология микро- и наносистемтехнологияМикроэлектронные устройства и системыМикропроцессорные системыНанотехнологиинауки о жизни вузовское образование проблемы схемотехника и проектирование Технологические процессы и маршрутыМикро- и наноэлектронные технологииМашины и оборудование для физического экспериментатранспортные и космические системыинтегрированная электроника элементы краткие отчеты

    У вас недостаточно прав для чтения этого закона в это время

    У вас недостаточно прав для чтения этого закона в это время

    Логотип Public.Resource.OrgЛоготип представляет собой черно-белую линию улыбающегося тюленя с усами. Вокруг печати находится красная круглая полоса с белым шрифтом, в верхней половине которого написано «Печать одобрения», а в нижней части — «Public.Resource.Org». На внешней стороне красной круглой марки находится круг. серебряная круглая полоса с зубчатыми краями, напоминающая печать из серебряной фольги.

    Public.Resource.Org

    Хилдсбург, Калифорния, 95448
    Соединенные Штаты Америки

    Этот документ в настоящее время недоступен для вас!

    Уважаемый гражданин:

    В настоящее время вам временно отказано в доступе к этому документу.

    Public Resource ведет судебный процесс за ваше право читать и говорить о законе. Для получения дополнительной информации см. Досье по рассматриваемому судебному делу:

    .

    Американское общество испытаний и материалов (ASTM), Национальная ассоциация противопожарной защиты (NFPA),
    и Американское общество инженеров по отоплению, холодильной технике и кондиционированию воздуха (ASHRAE) против Public.Resource.Org (общедоступный ресурс),
    DCD 1: 13-cv-01215, Объединенный окружной суд округа Колумбия [1]

    Ваш доступ к этому документу, который является законом Соединенных Штатов Америки, был временно отключен, пока мы боремся за
    ваше право читать и говорить о законах, по которым мы решаем управлять собой как демократическим обществом.

    Чтобы подать заявку на получение лицензии на ознакомление с этим законом, ознакомьтесь с Сводом федеральных нормативных актов или применимыми законами и постановлениями штата.
    на имя и адрес продавца. Для получения дополнительной информации о постановлениях правительства и ваших правах как гражданина в соответствии с нормами закона ,
    пожалуйста, прочтите мое свидетельство перед Конгрессом Соединенных Штатов.
    Вы можете найти более подробную информацию о нашей деятельности на общедоступном ресурсе.
    в нашем реестре деятельности за 2015 год. [2] [3]

    Спасибо за интерес к чтению закона.Информированные граждане — это фундаментальное требование для работы нашей демократии.
    Благодарим вас за усилия и приносим извинения за возможные неудобства.

    С уважением,

    Карл Маламуд
    Public.Resource.Org
    7 ноября 2015 г.

    Банкноты

    [1] http://www.archive.org/download/gov.uscourts.dcd.161410/gov.uscourts.dcd.161410.docket.html

    [2] https://public.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *